High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 第一作者：
- 杜路路
- 全部作者：
- 辛公明,贾志泰,陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜
- 论文编号：
- 95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
- 卷号：
- 40
- 期号：
- 3
- 页面范围：
- 451
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-03
- 发布时间：
- 2019-10-24