所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode

发表刊物：

APPLIED PHYSICS LETTERS

第一作者：

辛倩

全部作者：

宋爱民,辛倩

论文编号：

lw-168548

卷号：

106

期号：

11

页面范围：

113506

字数：

4000

是否译文：

否

发表时间：

2015-03

发布时间：

2019-10-24