Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 全部作者：
- 辛倩,宋爱民
- 第一作者：
- 辛倩
- 论文编号：
- lw-168548
- 卷号：
- 106
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 113506
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2015-03-20