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Extremely Sensitive Dependence of SnOx Film Properties on Sputtering Power
发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Scientific Reports
第一作者:
辛倩
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-199196
卷号:
6
页面范围:
36183
是否译文:
否
发表时间:
2016-11-08
上一条:
Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
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Study of Breakdown Voltage of Indium-Gallium-Zinc-Oxide-Based Schottky Diode