Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 全部作者：
- 王一鸣,辛倩,宋爱民,时彦朋,李玉香,王卿璞
- 第一作者：
- 王一鸣
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- C5CBECE11DEA4D5F8D7D91066B25046F
- 卷号：
- 65
- 期号：
- 4
- 页面范围：
- 1377
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-04-01