所属单位：

集成电路学院

论文名称：

All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory

发表刊物：

IEEE Electron Device Letters

第一作者：

杨进

全部作者：

宋爱民,王一鸣,王卿璞,周莉,辛倩

论文编号：

2532544AF4F5476799F6AF1C6F32887A

卷号：

39

期号：

12

页面范围：

1876

字数：

4000

是否译文：

否

发表时间：

2018-11

发布时间：

2019-10-24