GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric
发布时间：2019-10-25
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Semiconductor Science and Technology
- 全部作者：
- 王一鸣,辛倩,徐明升,陈秀芳,徐现刚,冯先进,宋爱民
- 第一作者：
- 朱庚昌
- 论文编号：
- 600382F594C94DF2908CDF75E37699EF
- 卷号：
- 33
- 期号：
- 9
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-09-01