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辛倩
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Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
所属单位：
微电子学院
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
全部作者：
徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
第一作者：
杜路路
论文类型：
基础研究
论文编号：
E30636329F7F4201AB68DFD2CE8AC89E
卷号：
39
期号：
9
页面范围：
1334
是否译文：
否
发表时间：
2018-09-01
上一条：
Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
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GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric
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