Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
发布时间：2019-10-25
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 第一作者：
- 杜路路
- 全部作者：
- 徐明升,王卿璞,辛倩,宋爱民
- 论文编号：
- E30636329F7F4201AB68DFD2CE8AC89E
- 卷号：
- 39
- 期号：
- 9
- 页面范围：
- 1334
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-08
- 发布时间：
- 2019-10-25