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High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO

发布时间:2019-10-25
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
论文名称:
High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO
发表刊物:
IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者:
杜路路
全部作者:
徐明升,王卿璞,宋爱民,辛倩
论文编号:
1E179A25ADB746D38B1185895D43D195
卷号:
65
期号:
10
页面范围:
4326
字数:
4
是否译文:
发表时间:
2018-10
发布时间:
2019-10-25