Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric
发布时间：2019-10-25
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Applied physics letters
- 全部作者：
- 辛倩,李玉香,宋爱民
- 第一作者：
- 马鹏飞
- 论文类型：
- 应用研究
- 论文编号：
- BCE60C230EC744E29AE7416AA84BAF14
- 卷号：
- 113
- 期号：
- 6
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-08-06