所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Half-volt operation of IGZO thin-film transistors enabled by ultrathin HfO2 gate dielectric

发表刊物：

APPLIED PHYSICS LETTERS

第一作者：

马鹏飞

全部作者：

辛倩,李玉香,宋爱民

论文编号：

BCE60C230EC744E29AE7416AA84BAF14

卷号：

113

期号：

6

是否译文：

否

发表时间：

2018-08

发布时间：

2019-10-25