Extremely high-gain source-gated transistors
发布时间：2021-10-09
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA
- 第一作者：
- 张嘉炜
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 5837A7A20E1B44CE944CC0C0DB87B0CB
- 卷号：
- 116
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 4843
- 字数：
- 5000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-03-12