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High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO

发布时间:2022-01-18
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者:
杜路路
论文类型:
基础研究
论文编号:
2018zxsei1473
卷号:
40
期号:
10
页面范围:
4326
字数:
5000
是否译文:
发表时间:
2018-12-30