Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
发布时间：2022-11-15
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 第一作者：
- 王珣珣
- 论文编号：
- 94A89A91EBFE4CEA8315878F2988EA0A
- 卷号：
- 43
- 期号：
- 1
- 页面范围：
- 44
- 字数：
- 4500
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01-01