所属单位：

集成电路学院

论文名称：

Wide-range-adjusted threshold voltages for E-mode AlGaN/GaN HEMT with a p-SnO cap gate

发表刊物：

SCIENCE CHINA-MATERIALS

第一作者：

陈大正

论文编号：

30300C148A4F471490B302E806E51284

卷号：

65

期号：

3

页面范围：

795

字数：

5000

是否译文：

否

发表时间：

2022-03

发布时间：

2022-11-15