Wide-range-adjusted threshold voltages for E-mode AlGaN/GaN HEMT with a p-SnO cap gate
发布时间：2022-11-15
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- SCIENCE CHINA-MATERIALS
- 第一作者：
- 陈大正
- 论文编号：
- 30300C148A4F471490B302E806E51284
- 卷号：
- 65
- 期号：
- 3
- 页面范围：
- 795
- 字数：
- 5000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-03-01