High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发布时间：2022-11-17
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
- 发表刊物：
- the 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials (II-VI 2015)
- 第一作者：
- 严林龙
- 论文编号：
- lw-180407
- 字数：
- 4500
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2015-09
- 发布时间：
- 2022-11-17