High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors
发布时间：2022-11-17
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors
- 发表刊物：
- Materials
- 第一作者：
- Zhang, Jiawei
- 论文编号：
- 45E1DAF66BA8466CB35D3CCD9F691C2A
- 卷号：
- 10
- 期号：
- 3
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-03
- 发布时间：
- 2022-11-17