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High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors

发布时间:2022-11-17
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Materials
第一作者:
Zhang, Jiawei
论文编号:
45E1DAF66BA8466CB35D3CCD9F691C2A
卷号:
10
期号:
3
字数:
4
是否译文:
发表时间:
2017-03-21