Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
发布时间：2021-05-27 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
发表刊物：Nanotechnology
第一作者：郭亚楠
论文编号：B7C57D2018A54150956241884F68D3B2
卷号：32
期号：14
字数：3500
是否译文：否
发表时间：2021-01