Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
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所属单位：物理学院
发表刊物：Nanotcchnology
第一作者：郭亚楠
论文类型：基础研究
论文编号：B7C57D2018A54150956241884F68D3B2
卷号：32
期号：14
是否译文：否
发表时间：2021-01-13
发表时间：2021-01-13