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Efficiency improvement of AlGaN-based deep ultraviolet LEDs with gradual Al-composition AlGaN conduction layer

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所属单位：微电子学院

发表刊物：《OPTOELECTRONICS LETTERS》

第一作者：徐明升

论文类型：应用研究

论文编号：BD32F5513E4F4D5A9C334017CE9C32AD

期号：4

是否译文：否

发表时间：2020-07-01

上一条： Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction

下一条： Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection

徐明升 (教授)