Photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells containing a gradually changing amount of indium in each InGaN well layer along the growth direction
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：JOURNAL OF LUMINESCENCE Journal
第一作者：时凯居
论文编号：E69B56299AC14B35A72BF74A6AC8870C
卷号：223
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-07-01
发表时间：2020-07-01