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"Double-W-shaped" temperature dependence of emission linewidth in an InGaN/GaN multiple quantum well structure with intense phase separation

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：Materials Express

第一作者：李长富

论文编号：AF9D7180FFA34FFF90B5E1364DC889A7

卷号：10

期号：1

页面范围：140

字数：3

是否译文：否

发表时间：2020-01-01

上一条： Extremely high-gain source-gated transistors

下一条： Wave-shaped temperature dependence characteristics of the electroluminescence peak energy in a green InGaN-based LED grown on silicon substrate

徐明升 (教授)