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Extremely high-gain source-gated transistors

发布时间：2021-10-09 点击数：

所属单位：集成电路学院

论文名称：Extremely high-gain source-gated transistors

发表刊物：PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA

第一作者：张嘉炜

论文编号：5837A7A20E1B44CE944CC0C0DB87B0CB

卷号：116

期号：11

页面范围：4843

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2019-03

上一条： Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications

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徐明升 (教授)