Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：材料化学期刊C
第一作者：俞瑞仙
论文类型：基础研究
论文编号：E9767840B0FD4632856C728455FB2543
卷号：9
期号：6
页面范围：1852
字数：8000
是否译文：否
发表时间：2021-02-14
发表时间：2021-02-14
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/微电子学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：xums@sdu.edu.cn
电子邮箱：xums@sdu.edu.cn
Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications
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所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：材料化学期刊C
第一作者：俞瑞仙
论文类型：基础研究
论文编号：E9767840B0FD4632856C728455FB2543
卷号：9
期号：6
页面范围：1852
字数：8000
是否译文：否
发表时间：2021-02-14
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