Influence of in volatilization on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Materials Express
第一作者：时凯居
论文编号：3C0A049F1C3C42C09B1385709159A219
卷号：11
期号：12
页面范围：2033
字数：4100
是否译文：否
发表时间：2021-12-01
发表时间：2021-12-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/集成电路学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：0531-88369697
电子邮箱：201799000033@sdu.edu.cn
Influence of in volatilization on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Materials Express
第一作者：时凯居
论文编号：3C0A049F1C3C42C09B1385709159A219
卷号：11
期号：12
页面范围：2033
字数：4100
是否译文：否
发表时间：2021-12-01
发表时间：2021-12-01