Emissions of the InGaN/GaN MQW LEDs with the InGaN well layer grown at different temperatures
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所属单位：集成电路学院
发表刊物：Superlattices and Microstructures
第一作者：李睿
论文编号：14927EAB0A8E476FB1AB51892D4CB2E5
卷号：160
字数：3555
是否译文：否
发表时间：2021-12-01
发表时间：2021-12-01