Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：CRYSTENGCOMM
第一作者：刘磊
论文编号：C3867FFABC184F9BB1BBACD5493F69E6
卷号：23
期号：41
页面范围：7245
是否译文：否
发表时间：2021-10-25
发表时间：2021-10-25