Effect of InGaN well layer growth rate upon photoluminescence of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
发布时间：2022-05-26 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Effect of InGaN well layer growth rate upon photoluminescence of InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
发表刊物：Superlattices Microstruct
第一作者：冀子武
论文编号：BA326152AA4D486A8568882C2CB086D6
期号：2
字数：4850
是否译文：否
发表时间：2022-03