W-shaped injection current dependence of electroluminescence linewidth in green InGaN/GaN-based LED grown on silicon substrate
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Optics Express
关键字：III-V semiconductors;Light emitting diodes;Quantum theory;Semiconductor quantum wells;Silicon;Substrates;Temperature distribution
第一作者：李建飞
论文编号：1395248383244898305
卷号：25
期号：20
页面范围：A871-A879
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2017-10-02
发表时间：2017-10-02