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Internal quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well

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所属单位：集成电路学院

发表刊物：ACTA PHYSICA SINICA

关键字：PL efficiency;PL peak energy;internal quantum efficiency;InGaN/GaN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率

第一作者：Wang Xue-Song

论文编号：1395260159118282753

卷号：63

期号：12

页面范围：127801-1-127801-7

字数：4300

是否译文：否

发表时间：2014-06-01

上一条： Combined effects of carrier scattering and Coulomb screening on photoluminescence in InGaN/GaN quantum well structure with high in content

下一条： W-shaped injection current dependence of electroluminescence linewidth in green InGaN/GaN-based LED grown on silicon substrate

徐明升 (教授)