Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Journal of Physics and Chemistry of Solids
第一作者：罗鑫
论文编号：1747462737015623682
卷号：187
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-04-01
发表时间：2024-04-01