Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
发布时间：2024-05-17 点击数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
发表刊物：Solid-State Electronics
第一作者：陈思衡
论文编号：1754450306790084609
卷号：213
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-03