Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Solid-State Electronics
第一作者：陈思衡
论文编号：1754450306790084609
卷号：213
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-03-01
发表时间：2024-03-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/集成电路学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：0531-88369697
电子邮箱：201799000033@sdu.edu.cn
Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Solid-State Electronics
第一作者：陈思衡
论文编号：1754450306790084609
卷号：213
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-03-01
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