Growth of 2-inch diamond films on 4H–SiC substrate by microwave plasma CVD for enhanced thermal performance
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：VACUUM
第一作者：胡秀飞
论文编号：1637725468371140609
卷号：211
字数：3000
是否译文：否
发表时间：2023-05-01
发表时间：2023-05-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/集成电路学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：0531-88369697
电子邮箱：201799000033@sdu.edu.cn
Growth of 2-inch diamond films on 4H–SiC substrate by microwave plasma CVD for enhanced thermal performance
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：VACUUM
第一作者：胡秀飞
论文编号：1637725468371140609
卷号：211
字数：3000
是否译文：否
发表时间：2023-05-01
发表时间：2023-05-01