关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
发布时间：2024-10-19 点击数：
所属单位：物理学院
论文名称：关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
发表刊物：ACTA PHYSICA SINICA
关键字：INGAN/GAN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率
第一作者：王雪松
论文编号：1394939413712080898
期号：12
页面范围：343-349
字数：5400
是否译文：否
发表时间：2014-01
所属单位：物理学院
论文名称：关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
发表刊物：ACTA PHYSICA SINICA
关键字：INGAN/GAN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率
第一作者：王雪松
论文编号：1394939413712080898
期号：12
页面范围：343-349
字数：5400
是否译文：否
发表时间：2014-01