关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：ACTA PHYSICA SINICA
关键字：INGAN/GAN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率
第一作者：王雪松
论文编号：1394939413712080898
期号：12
页面范围：343-349
字数：5400
是否译文：否
发表时间：2014-01-01
发表时间：2014-01-01
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：0531-88369697
电子邮箱：201799000033@sdu.edu.cn
关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：ACTA PHYSICA SINICA
关键字：INGAN/GAN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率
第一作者：王雪松
论文编号：1394939413712080898
期号：12
页面范围：343-349
字数：5400
是否译文：否
发表时间：2014-01-01
发表时间：2014-01-01