Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature
发布时间：2025-05-16 点击数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature
发表刊物：21st China International Forum on Solid State Lighting and 10th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors, SSLCHINA: IFWS 2024
第一作者：王天露
论文编号：1897581192143368193
页面范围：179-183
字数：3
是否译文：否
发表时间：2025-01