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Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature

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所属单位：新一代半导体材料研究院

第一作者：王天露

论文编号：1897581192143368193

页面范围：179-183

字数：3

是否译文：否

发表时间：2025-01-16

上一条： Temperature dependence of dynamic performance of SiC MOSFETs in a half-bridge configuration

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徐明升 (教授)