徐明升山东大学主页平台管理系统--中文主页

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination

点击次数：

所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：MICROELECTRONICS JOURNAL

第一作者：王新宇

论文编号：B553EB6CF2E14F2F938DCAF7AB87DCE3

期号：161

页面范围：106732

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2025-05-13

上一条： Investigation of 1.2kV Trench SiC MOSFETs Reverse Recovery Performance at High Temperature

下一条： The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H-SiC Devices

徐明升 (教授)