一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法
点击次数：
所属单位：集成电路学院
专利类型：发明
申请号：202010806206.9
发明人数：3
是否职务专利：否
申请日期：2020-08-12
公开日期：2024-03-26
授权日期：2024-03-26
公开日期：2024-03-26
申请日期：2020-08-12
授权日期：2024-03-26
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/微电子学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：xums@sdu.edu.cn
电子邮箱：xums@sdu.edu.cn
一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法
点击次数：
所属单位：集成电路学院
专利类型：发明
申请号：202010806206.9
发明人数：3
是否职务专利：否
申请日期：2020-08-12
公开日期：2024-03-26
授权日期：2024-03-26
公开日期：2024-03-26
申请日期：2020-08-12
授权日期：2024-03-26