徐明升 (教授)

教授博士生导师硕士生导师

性别：男

毕业院校：山东大学

学历：研究生(博士后)

学位：博士生

在职信息：在职

所在单位：集成电路学院

入职时间：2017-07-03

所属院系：新一代半导体材料集成攻关大平台

学科：微电子学与固体电子学

办公地点：中心校区

联系方式：

电子邮箱：

访问量：
最后更新时间：..

同专业博导同专业硕导

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利

一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法

发布时间：2024-05-18 点击数：

专利名称：一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法

所属单位：新一代半导体材料研究院

专利类型：发明

申请号：202310437073.6

发明人数：8

是否职务专利：否

申请日期：2023-04-18

公开日期：2024-02-02

授权日期：2024-02-02

上一条：一种半导体器件及其制造方法

下一条：一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法

版权所有 ©山东大学　地址：中国山东省济南市山大南路27号　邮编：250100　
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731　建设维护：山东大学信息化工作办公室　　
手机版登录 | 山东大学