论文成果
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
发布时间：2022-05-15 | 点击次数：
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
发表刊物：CrystEngComm
第一作者：刘磊
论文编号：DA60497533284E7981D34A73964DAA73
期号：24
页面范围：1840
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2022-02

徐庆君

应用研究员

性别：男

所在单位： 新一代半导体材料研究院

入职时间： 2020-11-01

所属院系： 新一代半导体材料集成攻关大平台

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