论文成果
Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates
发布时间:2022-06-05 | 点击次数:
所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:CRYSTENGCOMM
第一作者:刘磊
论文编号:52AE4BFE08514483BC24200655DD68FB
卷号:24
期号:10
页面范围:1840
是否译文:
发表时间:2022-03

徐庆君

应用研究员

性别:男

所在单位: 新一代半导体材料研究院

入职时间: 2020-11-01

所属院系: 新一代半导体材料集成攻关大平台

版权所有   ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100 
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室   
访问量: 手机版 English 登录 山东大学

最后更新时间: ..