论文成果
Plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN with low growth rates and their properties
发布时间:2024-12-20 | 点击次数:
所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:Chinese Physics B
第一作者:Li, Zhen-Hua
论文编号:D4F27C89E81B4E55B7C8C6C9EAC7323D
卷号:31
期号:1
字数:3000
是否译文:
发表时间:2022-01

徐庆君

应用研究员

性别:男

所在单位: 新一代半导体材料研究院

入职时间: 2020-11-01

所属院系: 新一代半导体材料集成攻关大平台

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