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  • 张福生 ( 副研究员 )

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  •   副研究员
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Ge 掺杂碳化硅晶体的生长缺陷

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所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:《无机材料学报》
第一作者:张福生
论文类型:基础研究
论文编号:6E4C9FC0B96542F08EE25AD1F7707406
期号:11
字数:2550
是否译文:否
发表时间:2016-11-04

 

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