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无微管缺陷六英寸SiC 单晶的制备
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：无微管缺陷六英寸SiC 单晶的制备
发表刊物：硅酸盐学报
第一作者：张福生
论文编号：8245878551654D7C9C9736E456888510
期号：4
字数：6455
是否译文：否
发表时间：2021-04
发布时间：2021-12-09
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