Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects
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所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects
发表刊物：Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS)
第一作者：张福生
论文编号：EE7FA6D125BB4712A4F1375EC47148C9
字数：2928
是否译文：否
发表时间：2019-10
发布时间：2021-12-09
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