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论文成果 当前位置： 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果
Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects

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所属单位：新一代半导体材料研究院
第一作者：张福生
论文编号：EE7FA6D125BB4712A4F1375EC47148C9
字数：2928
是否译文：否
发表时间：2019-10-04

 

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