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High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000-1) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching

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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Materials Letters
第一作者：张福生
论文编号：2BA11D5A6EFD4FAE999491FA6C308D83
期号：195
字数：2000
是否译文：否
发表时间：2017-02-27

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