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  • 张福生 ( 副研究员 )

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  •   副研究员
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High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000-1) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching

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所属单位:新一代半导体材料研究院
发表刊物:Materials Letters
第一作者:张福生
论文类型:基础研究
论文编号:2BA11D5A6EFD4FAE999491FA6C308D83
期号:195
字数:2000
是否译文:否
发表时间:2017-02-27

 

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