提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法
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Title:提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法
Institution:晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
Type of Patent:Invent
Application Number:202011372197.3
Number of Inventors:2
Service Invention or Not:No
Publication Date:2022-07-26
Authorization Date:2022-07-26
Release Time:2022-07-30