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张雷
正高级教师
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
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论文成果
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From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
材料化学期刊C
全部作者:
张雷,王守志,廉刚
第一作者:
俞瑞仙
论文类型:
基础研究
论文编号:
73E433DC413F481BA7C1BC2C13E1671D
卷号:
7
期号:
45
页面范围:
14116
是否译文:
否
发表时间:
2019-12-01
上一条:
Perovskite CsPbBr3 crystals: growth and applications
下一条:
Effect of Temperature Gradient on AlN Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method
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