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张雷
正高级教师
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
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Effect of Temperature Gradient on AlN Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CRYSTAL GROWTH & DESIGN
全部作者：
张雷
第一作者：
王国栋
论文编号：
49B80D1A901244E3AAF6BC057DFB86D5
卷号：
19
期号：
11
页面范围：
6736
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2019-11-01
上一条：
From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors
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High-aspect-ratio single-crystalline AlN nanowires: Free-catalytic PVT growth and field-emission studies
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