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张雷
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
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论文成果
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Effect of Temperature Gradient on AlN Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method
发布时间:2020-03-20
所属单位:
晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
论文名称:
Effect of Temperature Gradient on AlN Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method
发表刊物:
CRYSTAL GROWTH & DESIGN
第一作者:
王国栋
全部作者:
张雷
论文编号:
49B80D1A901244E3AAF6BC057DFB86D5
卷号:
19
期号:
11
页面范围:
6736
字数:
4000
是否译文:
否
发表时间:
2019-11
发布时间:
2020-03-20
上一条:
From bulk to porous GaN crystal: precise structural control and its application in ultraviolet photodetectors
下一条:
High-aspect-ratio single-crystalline AlN nanowires: Free-catalytic PVT growth and field-emission studies
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