登录
|
山东大学
|
English
张雷
正高级教师
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Numerical Simulation Study on the Front Shape and Thermal Stresses in Growing Multicrystalline Silicon Ingot: Process and Structural Design
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
CRYSTALS
第一作者:
陈成敏
论文编号:
47D01BC7136A422CAE8FF533B7D6235B
卷号:
10
期号:
11
字数:
3000
是否译文:
否
发表时间:
2020-11-01
上一条:
Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications
下一条:
Growth and Stress Analysis of Spontaneous Nucleationc-Plane Bulk AlN Crystals by a PVT Method
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部