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张雷
正高级教师
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
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论文成果
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Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Journal of Materials Chemistry C
第一作者：
俞瑞仙
论文编号：
E9767840B0FD4632856C728455FB2543
卷号：
9
期号：
6
页面范围：
1852
字数：
8000
是否译文：
否
发表时间：
2021-02-14
上一条：
Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
下一条：
Numerical Simulation Study on the Front Shape and Thermal Stresses in Growing Multicrystalline Silicon Ingot: Process and Structural Design
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