张雷

正高级教师

Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
• 第一作者：
  王忠新
• 论文编号：
  F3FED4C133DB40B3836EECCB275AA9C5
• 期号：
  7
• 页面范围：
  17201
• 字数：
  8000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2021-11-03