张雷

正高级教师

Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  CRYSTENGCOMM
• 第一作者：
  刘磊
• 论文编号：
  C3867FFABC184F9BB1BBACD5493F69E6
• 卷号：
  23
• 期号：
  41
• 页面范围：
  7245
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2021-10-25