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张雷
正高级教师
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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High-aspect-ratio single-crystalline AlN nanowires: Free-catalytic PVT growth and field-emission studies
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者:
王国栋
论文编号:
1C08E325D4CE471791983A98E31FC1B1
期号:
794
字数:
3500
是否译文:
否
发表时间:
2019-07-25
上一条:
Effect of Temperature Gradient on AlN Crystal Growth by Physical Vapor Transport Method
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Gallium Nitride Crystals: Novel Supercapacitor Electrode Materials
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